Transistor canal N IRF8707G, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 9.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.142 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 760pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id(imp): 88A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: IRF8707G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 7.3 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 4.5V. Trr Diode (Min.): 12 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14