Transistor canal N IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Transistor canal N IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.13€
5-24
1.85€
25-49
1.62€
50-99
1.47€
100+
1.26€
Quantité en stock: 122

Transistor canal N IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 80m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 800pF. C (out): 74pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 80W. Fonction: Paramètres clés optimisés pour l'audio de classe D. Id(imp): 51A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 12 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: MOSFET audio numérique. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 64 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFB4019
32 paramètres
Id (T=100°C)
12A
Id (T=25°C)
17A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
80m Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
150V
C (in)
800pF
C (out)
74pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
80W
Fonction
Paramètres clés optimisés pour l'audio de classe D
Id(imp)
51A
Idss (min)
20uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
12 ns
Td(on)
7 ns
Technologie
MOSFET audio numérique
Température de fonctionnement
-40...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
64 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) max.
4.9V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier