Transistor canal N IRFB18N50K, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

Transistor canal N IRFB18N50K, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.64€
5-24
4.27€
25-49
3.74€
50-99
3.37€
100+
2.89€
Quantité en stock: 34

Transistor canal N IRFB18N50K, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2830pF. C (out): 3310pF. Dissipation de puissance maxi: 220W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 68A. Idss (min): 50uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFB18N50K
29 paramètres
Id (T=100°C)
11A
Id (T=25°C)
17A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.26 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
500V
C (in)
2830pF
C (out)
3310pF
Dissipation de puissance maxi
220W
Fonction
Alimentation à découpage (SMPS)
Id(imp)
68A
Idss (min)
50uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
45 ns
Td(on)
22 ns
Technologie
SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
520 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier