Transistor canal N IRFB31N20D, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.082 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 2370pF. C (out): 390pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: SMPS, convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 124A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FB32N20D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14