Transistor canal N IRFB4110PBF, 100V, 100V, 3.7m Ohms, TO-220, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, TO-220AB, 100V. Vdss (tension drain à source): 100V. Tension drain - source (Vds): 100V. Résistance passante Rds On: 3.7m Ohms. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 9620pF. C (out): 670pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de drain maxi: 120A. Dissipation de puissance maxi: 370W. Fonction: Commutateur PDP. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 180A. Id(imp): 670A. Idss (min): 20uA. Information: -. MSL: -. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Particularités: -. Poids: 1.99g. Polarité: MOSFET N. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 370W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5m Ohms / 75A / 10V. Série: HEXFET. Td(off): 25 ns. Td(on): 78 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14