Transistor canal N IRFB4227, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 46A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 19.7m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4600pF. C (out): 460pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: Commutateur PDP. Id(imp): 260A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14