Transistor canal N IRFB11N50A, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.52 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1423pF. C (out): 208pF. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 52nC. Id(imp): 44A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 510 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14