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IRFP240PBF

Transistor canal N IRFP240PBF, TO247, 200V, 200V, 200V. Boîtier: TO247. Vdss (tension drain à source): 200V. Tension drain - source (Vds): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain maxi: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 20A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP240PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 150W. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRFP250PBF

Transistor canal N IRFP250PBF, TO247, 200V, 200V. Boîtier: TO247. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2800pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Dissipation de puissance maxi: 180W. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 33A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP250PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT...

IRFP260NPBF

Transistor canal N IRFP260NPBF, TO-247AC, 200V, 200V. Boîtier: TO-247AC. Tension drain - source (Vds): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4057pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 50A. Courant de drain maxi: 46A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP260NPBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 280W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRFP360PBF

Transistor canal N IRFP360PBF, TO-247AC HV., 400V, 0.20 Ohms, 400V. Boîtier: TO-247AC HV.. Tension drain - source (Vds): 400V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 23A. Courant de drain maxi: 23A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP360PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 280W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRFP3710PBF

Transistor canal N IRFP3710PBF, TO-247AC, 100V, 0.028 Ohms, 100V. Boîtier: TO-247AC. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 40A. Courant de drain maxi: 51A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 58 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP3710PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 180W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRFP450PBF

Transistor canal N IRFP450PBF, TO247, 500V, 500V, 0.4 Ohms, 500V. Boîtier: TO247. Vdss (tension drain à source): 500V. Tension drain - source (Vds): 500V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain maxi: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Dissipation de puissance maxi: 190W. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 92 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 14A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP450PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 180W. RoHS: oui. Série: IRFP. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRFP460APBF

Transistor canal N IRFP460APBF, TO-247, 500V, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3100pF. C (out): 480pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 3100pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Dissipation de puissance maxi: 280W. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRFP460APBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRFP460PBF

Transistor canal N IRFP460PBF, TO247, 500V, 500V, 500V. Boîtier: TO247. Vdss (tension drain à source): 500V. Tension drain - source (Vds): 500V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain maxi: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Dissipation de puissance maxi: 220W. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 18.4A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP460PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 250W. RoHS: oui. Série: IRFP. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -30V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRFP4710PBF

Transistor canal N IRFP4710PBF, TO-247AC, 100V, 0.014 Ohms, 100V. Boîtier: TO-247AC. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 6160pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 72A. Courant de drain maxi: 72A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 45A. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP4710PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 190W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 35 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRFP90N20DPBF

Transistor canal N IRFP90N20DPBF, TO-247AC, 200V, 0.02, 200V. Boîtier: TO-247AC. Tension drain - source (Vds): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.02. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 640pF. Charge: 180nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 94A. Courant de drain maxi: 94A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Courant de drain: 94A. Dissipation maximale Ptot [W]: 580W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP90N20DPBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Puissance: 580W. RoHS: oui. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: ±30V. Type de canal: N. Type de transistor: N-MOSFET...

IRFPF40

IRFZ24NPBF

Transistor canal N IRFZ24NPBF, TO220AB, 55V, 60V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 640pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 17A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFZ24NPBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Série: HEXFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT...

IRFZ44NPBF

Transistor canal N IRFZ44NPBF, TO-220AB, 55V, 60V. Boîtier: TO-220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1470pF. Charge: 63nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 31A. Courant de drain: 49A. Dissipation de puissance maxi: 94W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 49A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFZ44NPBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Puissance: 94W. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5m Ohms / 25A / 10V. Série: HEXFET. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET...

IRFZ46NPBF

Transistor canal N IRFZ46NPBF, TO220AB, 55V, 50V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1696pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0165 Ohms @ 28A. Dissipation de puissance maxi: 107W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 53A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFZ46NPBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5m Ohms / 28A / 10V. Série: IRFZ. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT...

IRFZ48NPBF

Transistor canal N IRFZ48NPBF, TO220AB, 55V, 55V, 0.014 Ohms, 55V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Tension drain - source (Vds): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1970pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 64A. Courant de drain maxi: 64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 32A. Dissipation de puissance maxi: 130W. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 64A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFZ48NPBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 130W. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IRL520N

Transistor canal N IRL520N, 7.1A, 10A, 10A, 0.18 Ohms, 100V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Tension Vds(max): 100V. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 35A. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Niveau logique. Technologie: V-MOS TO220A. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

IRL530NPBF

Transistor canal N IRL530NPBF, TO-220AB, 100V, 0.10 Ohms, 100V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800 ns. Charge: 22.7nC. Commande: niveau logique. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain maxi: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Courant de drain: 17A. Dissipation maximale Ptot [W]: 79W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL530NPBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 79W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 100M Ohms. Résistance thermique du boîtier: 1.9K/W. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de canal: N. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level...

IRL540NPBF

Transistor canal N IRL540NPBF, TO220AB, 100V, 100V, 0.044 Ohms, 100V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 100V. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Charge: 49.3nC. Commande: niveau logique. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 36A. Courant de drain maxi: 36A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Courant de drain: 36A. Dissipation de puissance maxi: 140W. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 36A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRL540N. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 140W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.1K/W. Série: HEXFET. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Tension grille/source Vgs (Max): -16V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level...

IRL630

Transistor canal N IRL630, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220A. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 74W. Fonction: Niveau logique. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

IRL630A

Transistor canal N IRL630A, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220A. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 69W. Fonction: Niveau logique. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

IRL640A

Transistor canal N IRL640A, 200V, 18A, 18A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Tension drain - source (Vds): 200V. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 18A. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Commande: niveau logique. Courant de drain maxi: 18A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: Niveau logique. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Puissance: 110W. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

IRLZ24NPBF

Transistor canal N IRLZ24NPBF, TO220AB, 55V, 55V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 480pF. Charge: 10nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 18A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Courant de drain: 18A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 18A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRLZ24NPBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 45W. RoHS: non. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Série: HEXFET. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.1 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de montage: THT. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level...

IRLZ34NPBF

Transistor canal N IRLZ34NPBF, TO-220., 55V, 0.035 Ohms, 55V. Boîtier: TO-220.. Tension drain - source (Vds): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 880pF. Commande: niveau logique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain maxi: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 68W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRLZ34NPBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 68W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.9 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

IXFK44N80P

Transistor canal N IXFK44N80P, TO-264 ( TOP-3L ), 800V, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264AA, 800V. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 1.5mA. Résistance passante Rds On: 0.19 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 800V. C (in): 12pF. C (out): 910pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 12000pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 44A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 22A. Dissipation de puissance maxi: 1200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(imp): 100A. Idss (min): 50uA. Marquage du fabricant: IXFK44N80P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 28 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) min.: 3V...