Transistor canal N IRFZ24NPBF, TO220AB, 55V, 60V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 640pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 17A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFZ24NPBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Série: HEXFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43