Transistor canal N IRL540NPBF, TO220AB, 100V, 100V, 0.044 Ohms, 100V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 100V. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Charge: 49.3nC. Commande: niveau logique. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 36A. Courant de drain maxi: 36A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Courant de drain: 36A. Dissipation de puissance maxi: 140W. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 36A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRL540N. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 140W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.1K/W. Série: HEXFET. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Tension grille/source Vgs (Max): -16V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43