Transistor canal N IRFP460PBF, TO247, 500V, 500V, 500V

Transistor canal N IRFP460PBF, TO247, 500V, 500V, 500V

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Transistor canal N IRFP460PBF, TO247, 500V, 500V, 500V. Boîtier: TO247. Vdss (tension drain à source): 500V. Tension drain - source (Vds): 500V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain maxi: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Dissipation de puissance maxi: 220W. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 18.4A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP460PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 250W. RoHS: oui. Série: IRFP. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -30V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRFP460PBF
29 paramètres
Boîtier
TO247
Vdss (tension drain à source)
500V
Tension drain - source (Vds)
500V
Tension drain-source Uds [V]
500V
Capacité de grille Ciss [pF]
4200pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
20A
Courant de drain maxi
20A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.27 Ohms @ 12A
Dissipation de puissance maxi
220W
Dissipation maximale Ptot [W]
280W
Délai de coupure tf[nsec.]
110 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Id @ Tc=25°C (courant de drain continu)
18.4A
Marquage du fabricant
IRFP460PBF
Nombre de bornes
3
Polarité
MOSFET N
Puissance
250W
RoHS
oui
Série
IRFP
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
18 ns
Température maxi
+150°C.
Tension d'entraînement
10V
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Tension grille/source Vgs (Max)
-30V
Type de canal
N
Type de montage
THT
Type de transistor
transistor de puissance MOSFET
Produit d'origine constructeur
Vishay (ir)