Transistor canal N IRL640A, 200V, 18A, 18A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Tension drain - source (Vds): 200V. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 18A. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Commande: niveau logique. Courant de drain maxi: 18A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: Niveau logique. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Puissance: 110W. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43