Transistor canal N IRLZ24NPBF, TO220AB, 55V, 55V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 480pF. Charge: 10nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 18A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Courant de drain: 18A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 18A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRLZ24NPBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 45W. RoHS: non. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Série: HEXFET. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.1 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de montage: THT. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43