Transistor canal N IRL530NPBF, TO-220AB, 100V, 0.10 Ohms, 100V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800 ns. Charge: 22.7nC. Commande: niveau logique. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain maxi: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Courant de drain: 17A. Dissipation maximale Ptot [W]: 79W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL530NPBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 79W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 100M Ohms. Résistance thermique du boîtier: 1.9K/W. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de canal: N. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43