Transistor canal N IRFP450PBF, TO247, 500V, 500V, 0.4 Ohms, 500V

Transistor canal N IRFP450PBF, TO247, 500V, 500V, 0.4 Ohms, 500V

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Transistor canal N IRFP450PBF, TO247, 500V, 500V, 0.4 Ohms, 500V. Boîtier: TO247. Vdss (tension drain à source): 500V. Tension drain - source (Vds): 500V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain maxi: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Dissipation de puissance maxi: 190W. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 92 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 14A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP450PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 180W. RoHS: oui. Série: IRFP. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRFP450PBF
30 paramètres
Boîtier
TO247
Vdss (tension drain à source)
500V
Tension drain - source (Vds)
500V
Résistance passante Rds On
0.4 Ohms
Tension drain-source Uds [V]
500V
Capacité de grille Ciss [pF]
2600pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
14A
Courant de drain maxi
14A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.4 Ohms @ 8.4A
Dissipation de puissance maxi
190W
Dissipation maximale Ptot [W]
190W
Délai de coupure tf[nsec.]
92 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Id @ Tc=25°C (courant de drain continu)
14A
Marquage du fabricant
IRFP450PBF
Nombre de bornes
3
Polarité
MOSFET N
Puissance
180W
RoHS
oui
Série
IRFP
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
17 ns
Température maxi
+150°C.
Tension d'entraînement
10V
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Tension grille/source Vgs (Max)
-20V
Type de canal
N
Type de montage
THT
Type de transistor
transistor de puissance MOSFET
Produit d'origine constructeur
Vishay (ir)