Transistor canal N IRFP460APBF, TO-247, 500V, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V

Transistor canal N IRFP460APBF, TO-247, 500V, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.88€
5-24
4.37€
25-49
3.92€
50-99
3.62€
100+
3.19€
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Transistor canal N IRFP460APBF, TO-247, 500V, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3100pF. C (out): 480pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 3100pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Dissipation de puissance maxi: 280W. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRFP460APBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRFP460APBF
43 paramètres
Boîtier
TO-247
Tension drain-source Uds [V]
500V
Id (T=100°C)
13A
Id (T=25°C)
20A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.27 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AC
Tension Vds(max)
500V
C (in)
3100pF
C (out)
480pF
Capacité de grille Ciss [pF]
3100pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
20A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.27 Ohms @ 12A
Dissipation de puissance maxi
280W
Dissipation maximale Ptot [W]
280W
Délai de coupure tf[nsec.]
45 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Fonction
Alimentation à découpage (SMPS)
Id(imp)
80A
Idss (min)
25uA
Marquage du fabricant
IRFP460APBF
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
45 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
18 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
480 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Vishay

Produits équivalents et/ou accessoires pour IRFP460APBF