Transistor canal N IRFP90N20DPBF, TO-247AC, 200V, 0.02, 200V
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Transistor canal N IRFP90N20DPBF, TO-247AC, 200V, 0.02, 200V. Boîtier: TO-247AC. Tension drain - source (Vds): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.02. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 640pF. Charge: 180nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 94A. Courant de drain maxi: 94A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Courant de drain: 94A. Dissipation maximale Ptot [W]: 580W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP90N20DPBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Puissance: 580W. RoHS: oui. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: ±30V. Type de canal: N. Type de transistor: N-MOSFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43