Paire de transistors MOSFET N-P

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: double transistor MOSFET. Canaux N et P. 'PowerTrench'. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: Y4. Marquage sur le boîtier: Y4. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier (selon fiche technique): SMT5. Quantité par boîtier: 2

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 137 ns. Td(on): 36ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.45V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 290W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 47 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor MOSFET. Fonction: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 0.05R & 0.1R. Id (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: MOSFET de puissance HEXFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 2

Transistor MOSFET. C (in): 780pF. C (out): 430pF. Type de canal: N-P. Trr Diode (Min.): 47 ns. Fonction: 0.029R & 0.58R. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: F7319. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Remarque: ( = P23AF 4532 SMD ). Remarque: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 28 & 65m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS

Transistor MOSFET. C (in): 340pF. C (out): 67pF. Type de canal: N-P. Trr Diode (Min.): 30 ns. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS

Transistor MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: (G-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor MOSFET. Fonction: 9.31k Ohms. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 30V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SMD. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor MOSFET. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: 9.31k Ohms. Id (T=100°C): 3.7A. Idss (maxi): 3.2A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 60V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor MOSFET. Fonction: 9.31k Ohms. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 20V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor MOSFET. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: module. Configuration: Vissé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SK85MH10. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 120ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 570 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 9100pF. Famille de composants: pont MOSFET complet, NMOS. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SP8M4FU6TB. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms

Transistor MOSFET. Fonction: STripFET™ Power MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 30V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2