Transistor MOSFET HGTG30N60B3D. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Boîtier: TO-247. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 208W. Fonction: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 137 ns. Td(on): 36ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension de saturation VCE(sat): 1.45V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N-P. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:29