Transistor MOSFET IRF7343. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. Charge: 24/26nC. Courant de drain: 4.7/-3.4A. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance thermique: 62.5K/W. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 55/-55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de canal: N-P. Type de transistor: HEXFET, N/P-MOSFET x2, N/P-MOSFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27