Paire de transistors MOSFET N-P

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2). Marquage sur le boîtier: 4502C. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Résistance passante Rds On: 28/35m Ohms. RoHS: oui. Spec info: remplace le MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP-8

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Type de transistor: MOSFET. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Idss: 1...5uA. Remarque: IDM--30Ap & 30Ap. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 16.2/4.8 ns. Td(on): 6.4 ns. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Transistor MOSFET. Rds (ON) très faible. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Marquage sur le boîtier: P605. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.8W. RoHS: oui. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.8W. RoHS: oui. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2). Marquage sur le boîtier: 4501GM. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Remarque: ID(AV)--N--9A P--8A. Remarque: Vdss 30V (N), -30V (P). Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Remarque: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: DIP-8. Boîtier: DIP

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Spec info: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: *SMD TO-252-4L*. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 4. Fonction: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Remarque: Vds 30V & 30V. Remarque: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. Remarque: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Enhancement Mode DUAL MOSFET (N-and P-Channel)'. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns. Remarque: sérigraphie/code CMS KNP. Marquage sur le boîtier: KNP. Nombre de connexions: 6. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: MOSFET en mode d'amélioration de paire complémentaire. Boîtier: SOT-363 ( SC-88 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-363

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). Remarque: sérigraphie/code CMS 420. Marquage sur le boîtier: 420. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Spec info: transistor canal N (Q1), transistor canal P (Q2). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: omplementary PowerTrench MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Transistor MOSFET. C (in): 760pF. C (out): 155pF. Type de canal: N-P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Protection G-S: non. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8