Transistor MOSFET HGTG40N60B3. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Boîtier: TO-247. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 290W. Fonction: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 170 ns. Td(on): 47 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N-P. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:29