Transistor MOSFET FDS8962C. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V. Technologie: double transistor MOSFET. Canaux N et P. 'PowerTrench'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de canal: N-P. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:07