Paire de transistors MOSFET N-P

Transistor MOSFET. Fonction: STripFET™ II Power MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 20V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: N&P PowerTrench MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 11W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: double transistor à effet de champ. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4. Remarque: double transistor à effet de champ

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Dissipation de puissance maxi: 11W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4

Transistor MOSFET. Fonction: SAMSUNG 0505-001417. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SMD SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2