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IRFPS37N50APBF

Transistor canal N IRFPS37N50APBF, 17.4k Ohms, 500V. Boîtier: 17.4k Ohms. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5580pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 36A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 22A. Dissipation maximale Ptot [W]: 446W. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFPS37N50APBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

17.76€

Quantité en stock: 10

IRFR024N

Transistor canal N IRFR024N, D-PAK ( TO-252 ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 370pF. C (out): 140pF. Charge: 13.3nC. Courant de drain: 16A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 38W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.97€

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IRFR024NPBF

Transistor canal N IRFR024NPBF, D-PAK, TO-252, 55V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FR024N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.9 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.47€

Quantité en stock: 129

IRFR024NTRPBF

Transistor canal N IRFR024NTRPBF, D-PAK, TO-252, 60V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FR024N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.9 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.47€

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IRFR110

Transistor canal N IRFR110, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 100V. C (in): 180pF. C (out): 80pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 17A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.80€

Quantité en stock: 118

IRFR110PBF

Transistor canal N IRFR110PBF, D-PAK, TO-252, 100V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 2.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFR110PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.36€

Quantité en stock: 818

IRFR1205

Transistor canal N IRFR1205, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=100°C): 31A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.027 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 1300pF. C (out): 410pF. Dissipation de puissance maxi: 107W. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 47 ns. Td(on): 7.3 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+155°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 65 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

1.04€

Quantité en stock: 102

IRFR1205TRPBF

Transistor canal N IRFR1205TRPBF, D-PAK, TO-252, 55V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 44A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 26A. Dissipation maximale Ptot [W]: 107W. Délai de coupure tf[nsec.]: 47 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FR1205. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.3 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.42€

Quantité en stock: 1440

IRFR120NPBF

Transistor canal N IRFR120NPBF, D-PAK, TO-252, 100V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FR1205N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.5 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.18€

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IRFR220

Transistor canal N IRFR220, TO252AA, DPAK. Boîtier: TO252AA, DPAK. Charge: 15nC. Courant de drain: 5A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 43W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 3.5K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET...

1.76€

Quantité en stock: 50

IRFR220NTRLPBF

Transistor canal N IRFR220NTRLPBF, D-PAK, TO-252, 200V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 300pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 43W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FR220N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.4 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.95€

Quantité en stock: 118

IRFR320

Transistor canal N IRFR320, 2A, 3.1A, 3.1A, 1.8 Ohms, D-PAK TO-252AA, 400V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3.1A. Idss (maxi): 3.1A. Résistance passante Rds On: 1.8 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 400V. Dissipation de puissance maxi: 42W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Technologie: HEXFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.25€

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IRFR3505

Transistor canal N IRFR3505, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Id (T=100°C): 49A. Id (T=25°C): 71A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 2030pF. C (out): 470pF. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Id(imp): 280A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(off): 43 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.51€

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IRFR3709Z

Transistor canal N IRFR3709Z, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 61A. Id (T=25°C): 86A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 5.2m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2330pF. C (out): 460pF. Dissipation de puissance maxi: 79W. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, impédance de grille ultra faible. Id(imp): 340A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V...

1.22€

Quantité en stock: 78

IRFR3910

Transistor canal N IRFR3910, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.115 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 100V. C (in): 640pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 79W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 37 ns. Td(on): 6.4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.01€

Quantité en stock: 103

IRFR4105

Transistor canal N IRFR4105, 19A, 27A, 0.025mA, 27A, 0.045 Ohms, D-PAK TO-252AA, 55V. Id (T=100°C): 19A. Id (T=25°C): 27A. Idss: 0.025mA. Idss (maxi): 27A. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 55V. Dissipation de puissance maxi: 68W. Fonction: td(on) 7ns. Id(imp): 100A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.15€

Quantité en stock: 4

IRFR420

Transistor canal N IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2.4A. Idss: 0.025mA. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 500V. Dissipation de puissance maxi: 42W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 8A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.11€

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IRFRC20

Transistor canal N IRFRC20, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. Id (T=100°C): 1.3A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 4.4 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 350pF. C (out): 48pF. Dissipation de puissance maxi: 42W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 8A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.43€

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IRFRC20PBF

Transistor canal N IRFRC20PBF, D-PAK, TO-252, 600V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFRC20PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.33€

Quantité en stock: 194

IRFS630A

Transistor canal N IRFS630A, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 500pF. C (out): 95pF. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: Advanced Power MOSFET. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 137 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.13€

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Quantité en stock: 396

IRFS630B

Transistor canal N IRFS630B, 4.1A, 6.5A, 6.5A, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 6.5A. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: Faible charge de grille (22nC typique), Low Crss. Id(imp): 26A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.50€

Quantité en stock: 154

IRFS634A

Transistor canal N IRFS634A, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. Id (T=100°C): 3.7A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 5.8A. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 32A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Advanced Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.14€

Quantité en stock: 76

IRFS740

Transistor canal N IRFS740, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 1000uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 400V. C (in): 1500pF. C (out): 178pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 40A. Idss (min): 250uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

1.17€

Quantité en stock: 463

IRFU024N

Transistor canal N IRFU024N, TO-251 ( I-Pak ), 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251AA ( I-PAK ), 55V. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 370pF. C (out): 140pF. Charge: 13.3nC. Courant de drain: 16A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: unipolaire. Puissance: 38W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...