Transistor canal N IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Transistor canal N IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.09€
5-29
0.92€
30-74
0.81€
75-149
0.73€
150+
0.58€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 54

Transistor canal N IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2.4A. Idss: 0.025mA. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 500V. Dissipation de puissance maxi: 42W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 8A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRFR420
24 paramètres
Id (T=100°C)
1.5A
Id (T=25°C)
2.4A
Idss
0.025mA
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
3 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
D-PAK TO-252AA
Tension Vds(max)
500V
Dissipation de puissance maxi
42W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
8A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier

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