Transistor canal N IRFS740, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 1000uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 400V. C (in): 1500pF. C (out): 178pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 40A. Idss (min): 250uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Samsung. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:19