Transistor canal N IRFS634A, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. Id (T=100°C): 3.7A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 5.8A. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 32A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Advanced Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Samsung. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43