Transistor canal N IRFR220, TO252AA, DPAK. Boîtier: TO252AA, DPAK. Charge: 15nC. Courant de drain: 5A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 43W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 3.5K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Produit d'origine constructeur: Infineon (irf). Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43