Transistor canal N IRFS630A, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

Transistor canal N IRFS630A, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.11€
5-24
0.92€
25-49
0.78€
50+
0.70€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 396

Transistor canal N IRFS630A, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 500pF. C (out): 95pF. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: Advanced Power MOSFET. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 137 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:37

Documentation technique (PDF)
IRFS630A
29 paramètres
Id (T=100°C)
4.1A
Id (T=25°C)
6.5A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.4 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
200V
C (in)
500pF
C (out)
95pF
Dissipation de puissance maxi
38W
Fonction
Advanced Power MOSFET
Id(imp)
36A
Idss (min)
10uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
Td(off)
30 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
Advanced Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
137 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Fairchild

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