Transistor canal N IRFRC20PBF, D-PAK, TO-252, 600V

Transistor canal N IRFRC20PBF, D-PAK, TO-252, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-24
1.32€
25-74
1.10€
75-299
0.97€
300+
0.92€
Quantité en stock: 200

Transistor canal N IRFRC20PBF, D-PAK, TO-252, 600V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFRC20PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRFRC20PBF
17 paramètres
Boîtier
D-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-252
Tension drain-source Uds [V]
600V
Capacité de grille Ciss [pF]
350pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
2A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
4.4 Ohms @ 1.2A
Dissipation maximale Ptot [W]
42W
Délai de coupure tf[nsec.]
30 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
IRFRC20PBF
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
10 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
Vishay (ir)