Transistor canal N IRFR110PBF, D-PAK, TO-252, 100V

Transistor canal N IRFR110PBF, D-PAK, TO-252, 100V

Quantité
Prix unitaire
1+
2.33€
Quantité en stock: 818

Transistor canal N IRFR110PBF, D-PAK, TO-252, 100V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 2.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFR110PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRFR110PBF
17 paramètres
Boîtier
D-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-252
Tension drain-source Uds [V]
100V
Capacité de grille Ciss [pF]
180pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
4.3A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.54 Ohms @ 2.6A
Dissipation maximale Ptot [W]
2.5W
Délai de coupure tf[nsec.]
15 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
IRFR110PBF
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
6.9ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
Vishay (ir)