Transistor canal N IRFR120NPBF, D-PAK, TO-252, 100V

Transistor canal N IRFR120NPBF, D-PAK, TO-252, 100V

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Transistor canal N IRFR120NPBF, D-PAK, TO-252, 100V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FR1205N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.5 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRFR120NPBF
17 paramètres
Boîtier
D-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-252
Tension drain-source Uds [V]
100V
Capacité de grille Ciss [pF]
330pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
6.6A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.21 Ohms @ 5.6A
Dissipation maximale Ptot [W]
48W
Délai de coupure tf[nsec.]
32 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
FR1205N
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
4.5 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
International Rectifier