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BF545C

Transistor canal N BF545C, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Dissipation de puissance maxi: 12mA. Fonction: HF-VHF. IGF: 10mA. Idss (min): 12mA. Marquage sur le boîtier: 22*. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Température: +150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 7.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: JFET...

FDMS9620S

Transistor canal N FDMS9620S, 7.5A, 7.5A, SMD, Power-56-8, 30 v. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 7.5A. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): Power-56-8. Tension Vds(max): 30 v. Fonction: 7.5A, Rds-on 0.013 Ohms (Q1). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: 7.5A, Rds-on 0.0215 Ohms (Q2). Technologie: double transistor MOSFET canal N. 30V. 'PowerTrench MOSFET'. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

FDS6690A

Transistor canal N FDS6690A, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 9.8m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1205pF. C (out): 290pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: commande par niveau logique. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 28 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

FDS8884

Transistor canal N FDS8884, SO, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 8.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 19m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 475pF. C (out): 100pF. Charge: 13nC. Courant de drain: 8.5A. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Nombre de sorties: 1. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 2.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 42 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: MOSFET, PowerTrench®. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V...

IRF2903Z

Transistor canal N IRF2903Z, 180A, 260A, 260A, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 260A. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 290W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

IRF7303

IRF7413

Transistor canal N IRF7413, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 9.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1600pF. C (out): 680pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id(imp): 58A. Idss (min): 12uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 52 ns. Td(on): 8.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 74 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

IRF7413Z

Transistor canal N IRF7413Z, SO, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Id (T=100°C): 9.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1210pF. C (out): 270pF. Charge: 9.5nC. Conditionnement: tube en plastique. Courant de drain: 13A. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: Impédance de grille ultra-basse. Id(imp): 100A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 2.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 10M Ohms. Résistance thermique: 50K/W. Td(off): 11 ns. Td(on): 8.7 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: 20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 95. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V...

IRF7455

Transistor canal N IRF7455, 12A, 15A, 100uA, 0.006 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3480pF. C (out): 870pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: SMPS MOSFET, High Frequency DC-DC Converters. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 51 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 64 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.6V...

IRF7807Z

Transistor canal N IRF7807Z, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 8.7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 770pF. C (out): 190pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: circuit intégré pour convertisseurs DC-DC. Id(imp): 88A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 10 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 31us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V...

IRF8707G

Transistor canal N IRF8707G, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 9.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.142 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 760pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id(imp): 88A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: IRF8707G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 7.3 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 4.5V. Trr Diode (Min.): 12 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V...

IRL2203N

Transistor canal N IRL2203N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 116A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3290pF. C (out): 1270pF. Dissipation de puissance maxi: 180W. Fonction: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

IRL3713

Transistor canal N IRL3713, 180A, 260A, 100uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.003 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5890pF. C (out): 3130pF. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: Rds très faible. Id(imp): 1040A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SMPS MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 75 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

IRL3803

Transistor canal N IRL3803, 98A, 140A, 250uA, 0.006 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 98A. Id (T=25°C): 140A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Niveau logique. Id(imp): 470A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

IRLB8721

Transistor canal N IRLB8721, 45A, 64A, 150uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 45A. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.0065 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1077pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 65W. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Id(imp): 250A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 9 ns. Td(on): 9.1ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V...

IRLB8743PBF

Transistor canal N IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 2.5m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5110pF. C (out): 960pF. Charge: 36nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 150A. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: UPS. Convertisseur DC/DC. Id(imp): 620A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 140W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: High Frequency Synchronous. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V...

IRLB8748PBF

Transistor canal N IRLB8748PBF, 65A, 92A, 150uA, 2.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 92A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 2.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5110pF. C (out): 464pF. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: UPS. Convertisseur DC/DC. Id(imp): 370A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: High Frequency Synchronous. Td(off): 16 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 23 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V...

IRLBA3803P

Transistor canal N IRLBA3803P, 126A, 179A, 250uA, 0.005 Ohms, SUPER-220, SUPER220, 30 v. Id (T=100°C): 126A. Id (T=25°C): 179A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.005 Ohms. Boîtier: SUPER-220. Boîtier (selon fiche technique): SUPER220. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Dissipation de puissance maxi: 270W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 720A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

NDP603AL

Transistor canal N NDP603AL, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 25A. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 100A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

NTMFS4744NT1G

Transistor canal N NTMFS4744NT1G, 38A, 53A, 53A, 7.6m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Id (T=100°C): 38A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 53A. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8FL. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 47W. Fonction: ID pulse 108A/10ms. Id(imp): 108A. Marquage sur le boîtier: 4744N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4744N. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

NTMFS4833NT1G

Transistor canal N NTMFS4833NT1G, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Id (T=100°C): 138A. Id (T=25°C): 191A. Idss (maxi): 191A. Résistance passante Rds On: 1.3M Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8FL. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 114W. Fonction: ID pulse 288A/10ms. Id(imp): 288A. Marquage sur le boîtier: 4833N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4833N. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

NTMFS4835NT1G

Transistor canal N NTMFS4835NT1G, 75A, 104A, 104A, 2.9m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 104A. Idss (maxi): 104A. Résistance passante Rds On: 2.9m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8FL. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 63W. Fonction: ID pulse 208A/10ms. Id(imp): 208A. Marquage sur le boîtier: 4835N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 4835N. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

Q67042-S4113

Transistor canal N Q67042-S4113, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 5M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2930pF. C (out): 1150pF. Dissipation de puissance maxi: 188W. Id(imp): 380A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 2N03L04. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Td(off): 54 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V...

RSR025N03TL

Transistor canal N RSR025N03TL, 2.5A, 2.5A, 0.074 Ohms, TSMT3, 30 v. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 2.5A. Résistance passante Rds On: 0.074 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TSMT3. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 1W. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC. Id(imp): 10A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS QY. Technologie: N-Ch MOS FET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...