Transistor canal N Q67042-S4113, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v

Transistor canal N Q67042-S4113, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
6.60€
5-24
6.00€
25-49
5.55€
50+
5.09€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 6

Transistor canal N Q67042-S4113, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 5M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2930pF. C (out): 1150pF. Dissipation de puissance maxi: 188W. Id(imp): 380A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 2N03L04. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Td(off): 54 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
Q67042-S4113
30 paramètres
Id (T=25°C)
80A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
5M Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
2930pF
C (out)
1150pF
Dissipation de puissance maxi
188W
Id(imp)
380A
Idss (min)
0.1uA
Marquage sur le boîtier
2N03L04
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Enhancement mode, Logic Level
Td(off)
54 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
Cool Mos
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
50 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1.2V
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies

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