Transistor canal N FDS6690A, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 9.8m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1205pF. C (out): 290pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: commande par niveau logique. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 28 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19