Transistor canal N IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v

Transistor canal N IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.50€
5-24
1.28€
25-49
1.14€
50-99
1.04€
100+
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Transistor canal N IRLB8743PBF, TO-220, 100A, 150A, 100uA, 2.5m Ohms, TO-220AB, 30 v. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 2.5m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5110pF. C (out): 960pF. Charge: 36nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 150A. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: UPS. Convertisseur DC/DC. Id(imp): 620A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 140W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: High Frequency Synchronous. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRLB8743PBF
39 paramètres
Boîtier
TO-220
Id (T=100°C)
100A
Id (T=25°C)
150A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
2.5m Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
5110pF
C (out)
960pF
Charge
36nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
150A
Dissipation de puissance maxi
140W
Fonction
UPS
Id(imp)
620A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Propriétés des éléments semi-conducteurs
Niveau logique
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
140W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
High Frequency Synchronous
Td(off)
25 ns
Td(on)
23 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension drain - source
30V
Tension grille-source
±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
29 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.35V
Vgs(th) min.
1.35V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier