Transistor canal N IRF7413, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Transistor canal N IRF7413, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v

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Transistor canal N IRF7413, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 9.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1600pF. C (out): 680pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id(imp): 58A. Idss (min): 12uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 52 ns. Td(on): 8.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 74 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Chipcad. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRF7413
29 paramètres
Id (T=100°C)
9.2A
Id (T=25°C)
13A
Idss (maxi)
25uA
Résistance passante Rds On
0.011 Ohms
Boîtier
SO
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
1600pF
C (out)
680pF
Dissipation de puissance maxi
2.5W
Id(imp)
58A
Idss (min)
12uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
52 ns
Td(on)
8.6 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
74 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
Chipcad