Transistor canal N IRF7413, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v
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Transistor canal N IRF7413, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 9.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1600pF. C (out): 680pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id(imp): 58A. Idss (min): 12uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 52 ns. Td(on): 8.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 74 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Chipcad. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14