Transistor canal N IRF7303, SO, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 4.9A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Charge: 16.7nC. Courant de drain: 4.9A. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: 0.05R. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance thermique: 62.5K/W. Technologie: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de canal: N. Type de transistor: HEXFET, N-MOSFET x2. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14