Transistor canal N FDS8884, SO, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO-8, 30 v

Transistor canal N FDS8884, SO, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO-8, 30 v

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Transistor canal N FDS8884, SO, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 8.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 19m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 475pF. C (out): 100pF. Charge: 13nC. Courant de drain: 8.5A. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Nombre de sorties: 1. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 2.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 42 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: MOSFET, PowerTrench®. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

Documentation technique (PDF)
FDS8884
36 paramètres
Boîtier
SO
Id (T=100°C)
30A
Id (T=25°C)
8.5A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
19m Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
475pF
C (out)
100pF
Charge
13nC
Courant de drain
8.5A
Dissipation de puissance maxi
1uA
Id(imp)
40A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Nombre de sorties
1
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
2.5W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
42 ns
Td(on)
5 ns
Technologie
MOSFET, PowerTrench®
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension drain - source
30V
Tension grille-source
±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
33 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.5V
Vgs(th) min.
1.2V
Produit d'origine constructeur
Fairchild