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IRFBF30PBF

IRFBF30PBF

Transistor canal N IRFBF30PBF, TO-220AB, 900V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 2.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFBF30PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.66€
Quantité en stock: 147
IRFBG30

IRFBG30

Transistor canal N IRFBG30, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3.1A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 980pF. C (out): 140pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 12A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 89 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.05€
Quantité en stock: 158
IRFBG30PBF

IRFBG30PBF

Transistor canal N IRFBG30PBF, TO-220AB, 1 kV. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Capacité de grille Ciss [pF]: 980pF. Charge: 80nC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Courant de drain: 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 89 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFBG30PBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Puissance: 125W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 5 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 1kV. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

3.25€
+1 rapidement
Quantité en stock: 560
IRFD014

IRFD014

Transistor canal N IRFD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 60V. C (in): 310pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Fonction: td(on) 10ns, td(off) 13ns. Id(imp): 14A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 13 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: FET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.01€
Quantité en stock: 26
IRFD024

IRFD024

Transistor canal N IRFD024, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. Id (T=100°C): 1.8A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 60V. C (in): 640pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 25 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 88 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

1.28€
Quantité en stock: 37
IRFD024PBF

IRFD024PBF

Transistor canal N IRFD024PBF, HD-1, 60V. Boîtier: HD-1. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 640pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFD024PBF. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.36€
Quantité en stock: 461
IRFD110

IRFD110

Transistor canal N IRFD110, DIP, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 100V. Boîtier: DIP. Id (T=100°C): 0.71A. Id (T=25°C): 1A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. C (in): 180pF. C (out): 81pF. Charge: 8.3nC. Courant de drain: 700mA, 0.71A. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Id(imp): 8A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRFD110PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 1.3W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.54 Ohms. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.77€
+2 rapidement
Quantité en stock: 51
IRFD110PBF

IRFD110PBF

Transistor canal N IRFD110PBF, DIP-4, 100V, 60V, 100V. Boîtier: DIP-4. Vdss (tension drain à source): 100V. Tension drain - source (Vds): 60V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1A. Courant de drain maxi: 0.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 1A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFD110PBF. Nombre de bornes: 4. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

1.07€
+110 rapidement
Quantité en stock: 165
IRFD120

IRFD120

Transistor canal N IRFD120, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. Id (T=100°C): 0.94A. Id (T=25°C): 1.3A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Id(imp): 10A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 18 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

1.00€
Quantité en stock: 122
IRFD120PBF

IRFD120PBF

Transistor canal N IRFD120PBF, DIP4, 100V. Boîtier: DIP4. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 0.78A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 18 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFD120PBF. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.95€
Quantité en stock: 187
IRFD123

IRFD123

Transistor canal N IRFD123, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. Id (T=100°C): 0.94A. Id (T=25°C): 1.3A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Id(imp): 10A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 18 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.56€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 56
IRFD210

IRFD210

Transistor canal N IRFD210, 0.38A, 0.6A, 250uA, 1.5 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. Id (T=100°C): 0.38A. Id (T=25°C): 0.6A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 200V. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Dissipation de puissance maxi: 1W. Id(imp): 4.8A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

0.86€
Quantité en stock: 19
IRFD220PBF

IRFD220PBF

Transistor canal N IRFD220PBF, DIP, 200V, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 200V. Boîtier: DIP. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Id (T=100°C): 0.38A. Id (T=25°C): 0.8A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 200V. C (in): 22pF. C (out): 53pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 260pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 0.4A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id(imp): 6.4A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRFD220PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance de troisième génération. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.38€
+33 rapidement
Quantité en stock: 76
IRFI3205PBF

IRFI3205PBF

Transistor canal N IRFI3205PBF, ITO-220AB, 55V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 34A. Dissipation maximale Ptot [W]: 63W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI3205PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.55€
Quantité en stock: 263
IRFI520G

IRFI520G

Transistor canal N IRFI520G, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 7.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 FULLPAK. Tension Vds(max): 100V. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 37W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id(imp): 29A. Idss (min): 25uA. Protection G-S: oui. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 19 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance de troisième génération. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.74€
Quantité en stock: 95
IRFI520GPBF

IRFI520GPBF

Transistor canal N IRFI520GPBF, ITO-220AB, 100V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 4.3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 37W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI520GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.19€
Quantité en stock: 45
IRFI530GPBF

IRFI530GPBF

Transistor canal N IRFI530GPBF, ITO-220AB, 100V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 5.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI530GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.84€
Quantité en stock: 356
IRFI540GPBF

IRFI540GPBF

Transistor canal N IRFI540GPBF, ITO-220AB, 100V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 53 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI540GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.95€
Quantité en stock: 568
IRFI540NPBF

IRFI540NPBF

Transistor canal N IRFI540NPBF, 14A, 20A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 FULLPAK. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1400pF. C (out): 330pF. Dissipation de puissance maxi: 54W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.64€
Quantité en stock: 24
IRFI630G

IRFI630G

Transistor canal N IRFI630G, 4.1A, 6.5A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 800pF. C (out): 240pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Id(imp): 36A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: IRFI630G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 39 ns. Td(on): 9.4 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.68€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 43
IRFI630GPBF

IRFI630GPBF

Transistor canal N IRFI630GPBF, ITO-220AB, 200V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 32W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI630GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.25€
Quantité en stock: 170
IRFI640GPBF

IRFI640GPBF

Transistor canal N IRFI640GPBF, ITO-220AB, 200V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 5.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI640GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.08€
Quantité en stock: 125