Transistor canal N IRFD210, 0.38A, 0.6A, 250uA, 1.5 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. Id (T=100°C): 0.38A. Id (T=25°C): 0.6A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 200V. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Dissipation de puissance maxi: 1W. Id(imp): 4.8A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14