Transistor canal N IRFI630GPBF, ITO-220AB, 200V

Transistor canal N IRFI630GPBF, ITO-220AB, 200V

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Transistor canal N IRFI630GPBF, ITO-220AB, 200V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 32W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI630GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFI630GPBF
16 paramètres
Boîtier
ITO-220AB
Tension drain-source Uds [V]
200V
Capacité de grille Ciss [pF]
800pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
5.9A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.4 Ohms @ 3.5A
Dissipation maximale Ptot [W]
32W
Délai de coupure tf[nsec.]
39 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
IRFI630GPBF
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
9.4 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
Vishay (ir)