Transistor canal N IRFBF30PBF, TO-220AB, 900V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 2.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFBF30PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14