Transistor canal N IRFBG30PBF, TO-220AB, 1 kV. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Capacité de grille Ciss [pF]: 980pF. Charge: 80nC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Courant de drain: 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 89 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFBG30PBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Puissance: 125W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 5 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 1kV. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14