Transistor canal N IRFI530GPBF, ITO-220AB, 100V

Transistor canal N IRFI530GPBF, ITO-220AB, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-49
2.81€
50+
2.33€
Quantité en stock: 356

Transistor canal N IRFI530GPBF, ITO-220AB, 100V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 5.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI530GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFI530GPBF
16 paramètres
Boîtier
ITO-220AB
Tension drain-source Uds [V]
100V
Capacité de grille Ciss [pF]
670pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
9.7A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.16 Ohms @ 5.8A
Dissipation maximale Ptot [W]
42W
Délai de coupure tf[nsec.]
34 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
IRFI530GPBF
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
8.6 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
Vishay (ir)