Transistor canal N IRFD110, DIP, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 100V
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Transistor canal N IRFD110, DIP, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 100V. Boîtier: DIP. Id (T=100°C): 0.71A. Id (T=25°C): 1A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. C (in): 180pF. C (out): 81pF. Charge: 8.3nC. Courant de drain: 700mA, 0.71A. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Id(imp): 8A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRFD110PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 1.3W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.54 Ohms. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14