Transistor canal N IRFD120PBF, DIP4, 100V. Boîtier: DIP4. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 0.78A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 18 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFD120PBF. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14