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IRF3205Z

Transistor canal N IRF3205Z, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 4.9m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3450pF. C (out): 550pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Id(imp): 440A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF3415

Transistor canal N IRF3415, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 43A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0042 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 2400pF. C (out): 640pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 150A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 71 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF3710

Transistor canal N IRF3710, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 23m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3230pF. C (out): 420pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 200W. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(off): 49 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF3710S

Transistor canal N IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3000pF. C (out): 640pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 210 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF3808

Transistor canal N IRF3808, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 97A. Id (T=25°C): 140A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0059 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 5310pF. C (out): 890pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 550A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRF3808. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 68 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 93 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF510

Transistor canal N IRF510, TO-220, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 5.6A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 180pF. C (out): 81pF. Charge: 8.3nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 4A, 5.6A. Dissipation de puissance maxi: 43W. Fonction: -. Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Puissance: 43W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.54 Ohms. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF520

Transistor canal N IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 6.5A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 360pF. C (out): 150pF. Charge: 16.7nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 9.7A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 37A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Puissance: 48W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 3.1K/W. Td(off): 19 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF540

Transistor canal N IRF540, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.077 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1700pF. C (out): 560pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: 1.3k Ohms. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF540N

Transistor canal N IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 23A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1960pF. C (out): 250pF. Charge: 47.3nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 33A. Dissipation de puissance maxi: 130W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 140W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.1K/W. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 115 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF540NS

Transistor canal N IRF540NS, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 1400pF. C (out): 330pF. Dissipation de puissance maxi: 140W. Equivalences: IRF540NSPBF. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF540Z

IRF610

Transistor canal N IRF610, TO-220, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 2.1A. Id (T=25°C): 3.3A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Charge: 8.2nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 3.3A, 2.1A. Dissipation de puissance maxi: 36W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 10A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Puissance: 36W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 1.5 Ohms. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF620

Transistor canal N IRF620, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 260pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 18A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF634

Transistor canal N IRF634, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8.1A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. C (in): 770pF. C (out): 190pF. Dissipation de puissance maxi: 74W. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 4.2 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF640

Transistor canal N IRF640, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1300pF. C (out): 430pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: -. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

IRF640N

Transistor canal N IRF640N, TO-220, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1160pF. C (out): 185pF. Charge: 44.7nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 18A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: -. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRF640NPBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 150W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1K/W. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 200V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 167 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF644

Transistor canal N IRF644, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=100°C): 8.5A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. C (in): 1300pF. C (out): 330pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 56A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF710

Transistor canal N IRF710, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 400V. C (in): 170pF. C (out): 34pF. Dissipation de puissance maxi: 36W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 6A. Idss (min): 25uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 12 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF740

Transistor canal N IRF740, TO-220, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220AB, 400V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 6.3A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 400V. C (in): 1400pF. C (out): 330pF. Charge: 36nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 10A, 6.3A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: transistor MOSFET de puissance à commutation rapide. Id(imp): 40A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRF740PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 125W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.55 Ohms. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 400V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille-source: ±30V. Tension grille/source VGS (off) max.: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50...

IRF8010

Transistor canal N IRF8010, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3850pF. C (out): 480pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 260W. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 320A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 61 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF8010S

Transistor canal N IRF8010S, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3850pF. C (out): 480pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 260W. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 320A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 61 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 99 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF820

Transistor canal N IRF820, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 360pF. C (out): 92pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 8A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 33 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF830

Transistor canal N IRF830, TO-220, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 500V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 610pF. C (out): 160pF. Charge: 38nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 4.5A, 2.9A. Dissipation de puissance maxi: 74W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 18A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Puissance: 74W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 1.5 Ohms. Td(off): 42 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 500V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 320 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

IRF830APBF

Transistor canal N IRF830APBF, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. C (in): 620 ns. C (out): 93 ns. Dissipation de puissance maxi: 74W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 20A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température: +105°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 430 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V...