Transistor canal N IRF740, TO-220, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220AB, 400V

Transistor canal N IRF740, TO-220, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220AB, 400V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.55€
5-24
1.33€
25-49
1.19€
50-99
1.10€
100+
0.98€
+5 pièces supplémentaires disponibles en stock distant (approvisionnement dans les 4h). Nous contacter pour tarif et disponibilité!
Quantité en stock: 340

Transistor canal N IRF740, TO-220, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220AB, 400V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 6.3A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 400V. C (in): 1400pF. C (out): 330pF. Charge: 36nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 10A, 6.3A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: transistor MOSFET de puissance à commutation rapide. Id(imp): 40A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRF740PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 125W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.55 Ohms. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 400V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille-source: ±30V. Tension grille/source VGS (off) max.: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRF740
41 paramètres
Boîtier
TO-220
Id (T=100°C)
6.3A
Id (T=25°C)
10A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.55 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
400V
C (in)
1400pF
C (out)
330pF
Charge
36nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
10A, 6.3A
Dissipation de puissance maxi
125W
Fonction
transistor MOSFET de puissance à commutation rapide
Id(imp)
40A
Idss (min)
25uA
Marquage du fabricant
IRF740PBF
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
125W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance dans l'état passant
0.55 Ohms
Spec info
Dynamic dv/dt Rating
Td(off)
50 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
V-MOS
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension drain - source
400V
Tension grille - émetteur VGE(th) min.
2V
Tension grille-source
±30V
Tension grille/source VGS (off) max.
4 v
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
370 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Produit d'origine constructeur
Vishay